中國稀有金屬網(wǎng)：
1、低電壓濺射制備摻錫氧化銦薄膜
由于摻錫氧化銦薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜的過程中，會產(chǎn)生大量的氧負(fù)離子，氧負(fù)離子在電場的作用下以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使摻錫氧化銦薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶體狀態(tài)造成結(jié)構(gòu)缺陷。濺射的電壓越大，氧負(fù)離子轟擊膜層表面的能量也越大，那么造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就越大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也越嚴(yán)重，從而導(dǎo)致了摻錫氧化銦薄膜的電阻率上升，一般情況下，磁控濺射沉積摻錫氧化銦薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的摻錫氧化銦薄膜電阻率將降低50%以上，這樣不僅提高了摻錫氧化銦薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
2、兩種在直流磁控濺射制備摻錫氧化銦薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑：
a、磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響
當(dāng)磁場強(qiáng)度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當(dāng)磁場強(qiáng)度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強(qiáng)度越高、濺射電壓越低，但磁場強(qiáng)度為1000G以上時，磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響就不明顯了。因此為了降低摻錫氧化銦薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強(qiáng)濺射陰極的磁場強(qiáng)度來實現(xiàn)。
b、RF+DC電源使用對濺射電壓的影響
為了有效的降低磁控濺射的電壓，以達(dá)到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用了一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，同時將一套3KW的射頻電源合理的匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。當(dāng)磁場強(qiáng)度為1000G，直流電源的功率為1200W時，通過改變射頻電源的功率，經(jīng)大量的工藝實驗得出：“當(dāng)射頻功率為600W時，ITO靶的濺射電壓可以降到-110V”的結(jié)論。
因此，RF+DC新型電源的應(yīng)用和特殊濺射陰極結(jié)構(gòu)的設(shè)計也能有效的降低ITO薄膜的濺射電壓，從而達(dá)到降低薄膜電阻率的目的。
3、降低摻錫氧化銦薄膜電阻率的新沉積方法-HDAP法
法是利用高密度的電弧等離子體（HDAP）放電轟擊ITO靶材，使ITO材料蒸發(fā)，沉積到基體材料上形成ITO薄膜。由于高能量電弧離子的作用導(dǎo)致ITO粒子中的In、Sn達(dá)到完全離化，從而增強(qiáng)沉積時的反應(yīng)活性，達(dá)到減少晶體結(jié)構(gòu)缺陷，降低電阻率的目的。

標(biāo)簽：制備氧化哪些